[实用新型]一种低压铝栅器件有效
| 申请号： | 202120845230.3 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN215527720U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 胡建权;何伟业;梁观姐 | 申请（专利权）人： | 芯南科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙) 44605 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层，所述隔离保护层由非导电物质沉淀形成，所述隔离保护层的截面为梯形结构；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD；所述隔离保护层设置有若干个穿通接触孔，所述第二金属PAD层沉淀时通过所述穿通接触孔与所述第一金属布线层连接。本实用新型实施例的隔离保护层由于通过单一的二氧化硅形成，从而降低了芯片的成本，并提升第二金属PAD层的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 器件 | ||
【主权项】：
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