[实用新型]一种低压铝栅器件有效
| 申请号： | 202120845230.3 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN215527720U | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 胡建权;何伟业;梁观姐 | 申请（专利权）人： | 芯南科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙) 44605 | 代理人： | 杨伦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 器件 | ||
1.一种低压铝栅器件，其特征在于，包括：
在已生成源极、漏极、栅极及引线接触孔的MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；
在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层，所述隔离保护层由非导电物质沉淀形成，所述隔离保护层的截面为梯形结构；
在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD；
所述隔离保护层设置有若干个穿通接触孔，所述第二金属PAD层沉淀时通过所述穿通接触孔与所述第一金属布线层连接。
2.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述隔离保护层的截面为等腰梯形结构。
3.如权利要求1或2所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述隔离保护层包括沉淀在所述第一金属布线层上的第一隔离层、由所述第一隔离层一端向另一端间隔沉淀在所述第一隔离层上平面的多个隔离块、以及沉淀在多个所述隔离块上平面的第二隔离层。
4.如权利要求3所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一隔离层与所述第二隔离层的上平面为平整结构。
5.如权利要求3所述的低压铝栅器件，其特征在于，多个所述隔离块均匀沉淀在所述第一隔离层的上平面。
6.如权利要求3所述的低压铝栅器件，其特征在于，多个所述隔离块的其中两个截面为直角梯形结构且分别沉淀在所述第一隔离层的两端，其余所述隔离块的截面为矩形结构。
7.如权利要求3所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为0.3um-0.7um，所述隔离块的厚度为0.5um-1.5um，所述第二隔离层的厚度为0.3um-0.7um。
8.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一金属布线层的金属厚度为0.5um-0.7um。
9.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第二金属PAD层的厚度为3.8um-4um。
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