[实用新型]一种低压铝栅器件

说明书

本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层，所述隔离保护层由非导电物质沉淀形成，所述隔离保护层的截面为梯形结构；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD；所述隔离保护层设置有若干个穿通接触孔，所述第二金属PAD层沉淀时通过所述穿通接触孔与所述第一金属布线层连接。本实用新型实施例的隔离保护层由于通过单一的二氧化硅形成，从而降低了芯片的成本，并提升第二金属PAD层的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种低压铝栅器件。

背景技术

现有的集成电路已经发展到深亚微米的程度，其中，低压铝栅工艺依靠成本低廉、性价比高以及工艺简单的优势依然占据较大的市场。但是在此工艺的基础上如何降低成本，成为了现有产品在市场上的竞争力。

为了降低成本，相关技术人员是将研发方向放在了如何缩小沟道尺寸、金属布线的宽度及接触孔的尺寸这些地方。但在芯片中占据最大面积的部分确是打线的PAD(密封在电路板中的芯片管脚)，因此，不管如何对其它位置进行改进，其成本还是无法降到理想的程度。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种低压铝栅器件，旨在解决芯片面积大、且成本高的问题。

本实用新型实施例是这样实现的，提供了一种低压铝栅器件，包括：

在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；

在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层，所述隔离保护层由非导电物质沉淀形成，所述隔离保护层的截面为梯形结构；

在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD；

所述隔离保护层设置有若干个穿通接触孔，所述第二金属PAD层沉淀时通过所述穿通接触孔与所述第一金属布线层连接。

更进一步地，所述隔离保护层的截面为等腰梯形结构

更进一步地，所述隔离保护层包括沉淀在所述第一金属布线层上的第一隔离层、由所述第一隔离层一端向另一端间隔沉淀在所述第一隔离层上平面的多个隔离块、以及沉淀在多个所述隔离块上平面的第二隔离层。

更进一步地，所述第一隔离层与所述第二隔离层的上平面为平整结构。

更进一步地，多个所述隔离块均匀沉淀在所述第一隔离层的上平面。

更进一步地，多个所述隔离块的其中两个截面为直角梯形结构且分别沉淀在所述第一隔离层的两端，其余所述隔离块的截面为矩形结构。

更进一步地，所述第一隔离层的厚度为0.3um-0.7um，所述隔离块的厚度为0.5um-1.5um，所述第二隔离层的厚度为0.3um-0.7um。

更进一步地，所述第一金属布线层的金属厚度为0.5um-0.7um。

更进一步地，所述第二金属PAD层的厚度为3.8um-4um。

更进一步地，所述非导电物质为二氧化硅、正硅酸乙酯和旋转涂布玻璃中的一种或多种。