[实用新型]剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构有效
| 申请号： | 202120837590.9 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN215869164U | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 郭德鑫;周愉;陆庆华;丁新化;黄元汶;李虎 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01H71/02 | 分类号： | H01H71/02;H01H71/08 |
| 代理公司： | 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙) 11365 | 代理人： | 王茀智;龚清媛 |
| 地址： | 325603 浙江省乐*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，包括漏电脱扣器和第一导电件，第一导电件穿过漏电脱扣器的中心通孔，且第一导电件的两端向中心通孔外弯折，漏电脱扣器包括屏蔽装置、屏蔽罩和四周被屏蔽罩所包围的零序互感器，屏蔽装置设置于屏蔽罩外，并位于所述第一导电件的两端之间。本实用新型提供一种剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，在屏蔽罩对零序互感器周围磁场屏蔽的基础上，增加屏蔽装置，与左右横跨漏电脱扣器的第一导电件相对应设置，起到吸收第一导电件导电引起的磁场，磁场不会向零序互感器扩散，保证了零序互感器周边的屏蔽罩不容易饱和，从而有效的提升零序互感器抗干扰性能，解决剩余电流瞬间出现大电流情况下产品误动作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 剩余 电流 动作 断路器 磁场 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
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