[实用新型]剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构

权利要求书

1.一种剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：包括漏电脱扣器(1)和第一导电件(5)，所述第一导电件(5)穿过漏电脱扣器(1)的中心通孔(10)，且第一导电件(5)的两端向中心通孔(10)外弯折，所述漏电脱扣器(1)包括屏蔽装置(4)、屏蔽罩(2)和四周被屏蔽罩(2)所包围的零序互感器(3)，所述屏蔽装置(4)设置于屏蔽罩(2)外，并位于所述第一导电件(5)的两端之间。

2.根据权利要求1所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述第一导电件(5)包括穿过漏电脱扣器(1)的中心通孔(10)的导电底边和分别与导电底边两端连接的两个导电侧边，导电底边和两个导电侧边成U型，两个导电侧边分别位于漏电脱扣器(1)的两侧，两个屏蔽装置(4)分别设置在两个导电侧边与漏电脱扣器(1)之间。

3.根据权利要求1所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述漏电脱扣器(1)包括外壳(11)，外壳(11)内设有第一容纳腔(12)和分别设置在第一容纳腔两侧的两个第二容纳腔(13)，第一容纳腔(12)成环形且设有所述中心通孔(10)，屏蔽罩(2)和被屏蔽罩(2)所包围的零序互感器(3)设置在第一容纳腔(12)内，所述屏蔽装置(4)设置在第二容纳腔(13)内，第二容纳腔(13)在垂直于中心通孔(10)轴向的两侧侧壁处设有屏蔽装置(4)。

4.根据权利要求1所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽装置(4)为多个平行间隔设置的方形屏蔽片。

5.根据权利要求1-4任一所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述零序互感器(3)包括相适配的铁芯(31)和罩壳(32)，所述铁芯(31)为圆环形，设置于罩壳(32)内。

6.根据权利要求1-4任一所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽罩(2)包括第一屏蔽片(21)、第二屏蔽片(22)和两个第三屏蔽片(23)，所述两个第三屏蔽片(23)平行间隔设置，第一屏蔽片(21)、第二屏蔽片(22)连接于两个第三屏蔽片(23)之间，第一屏蔽片(21)、第二屏蔽片(22)与第三屏蔽片(23)之间形成封闭的用于容纳零序互感器(3)的容纳腔(20)。

7.根据权利要求6所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述第一屏蔽片(21)、第二屏蔽片(22)与第三屏蔽片(23)均为圆环形硅钢片。

8.根据权利要求1所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述第一导电件(5)的数量为两个，漏电脱扣器(1)对应每个第一导电件(5)均设有所述屏蔽装置(4)。

9.根据权利要求8所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：还包括第二导电件(6)，两个第一导电件(5)对称设置，位于中心通孔(10)内两侧边缘，所述第二导电件(6)穿过漏电脱扣器(1)的中心通孔(10)，并位于两个第一导电件(5)之间。

10.根据权利要求3所述的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，其特征在于：所述第一容纳腔(12)和第二容纳腔(13)内还填充有环氧树脂(14)。