[实用新型]剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构

说明书

剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，包括漏电脱扣器和第一导电件，第一导电件穿过漏电脱扣器的中心通孔，且第一导电件的两端向中心通孔外弯折，漏电脱扣器包括屏蔽装置、屏蔽罩和四周被屏蔽罩所包围的零序互感器，屏蔽装置设置于屏蔽罩外，并位于所述第一导电件的两端之间。本实用新型提供一种剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，在屏蔽罩对零序互感器周围磁场屏蔽的基础上，增加屏蔽装置，与左右横跨漏电脱扣器的第一导电件相对应设置，起到吸收第一导电件导电引起的磁场，磁场不会向零序互感器扩散，保证了零序互感器周边的屏蔽罩不容易饱和，从而有效的提升零序互感器抗干扰性能，解决剩余电流瞬间出现大电流情况下产品误动作的问题。

技术领域

本实用新型涉及低压电器技术领域，具体涉及一种剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构。

背景技术

剩余电流动作断路器广泛应用于直接接触电击防护及间接接触电击防护的电路网路中，当人体触及带电体或设备绝缘损坏形成接地故障时能自动断开电路。但有部分设备在启动时工作电流较大，达到额定电流的3～6倍，在这启动大电流引起的磁场突变，零序互感器产生误动作感应剩余电流，引出产品剩余电流跳闸；为了消除这种磁场引起的剩余电流误动作，根据突变电流大小在零序互感器周围包以定量的硅钢片屏蔽磁场；但是瞬间突变电流大时，穿过零序互感器的突变的电流大、互感器屏蔽硅钢片在传统环形屏蔽很容易产生剩余电流误动作，包围厚度不能单独根据电流大小来定量了；还有考虑两边跨度的长度增加硅钢片厚度保证屏蔽效果；为此，造成零序互感器周围要做很厚的屏蔽才能满足。因剩余电流断路器内部结构尺寸所限，致使剩余电流瞬间出现大电流情况下产品误动作的问题一直存在。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种提升零序互感器抗干扰性能的剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种剩余电流动作断路器的磁场屏蔽结构，包括漏电脱扣器和第一导电件，所述第一导电件穿过漏电脱扣器的中心通孔，且第一导电件的两端向中心通孔外弯折，所述漏电脱扣器包括屏蔽装置、屏蔽罩和四周被屏蔽罩所包围的零序互感器，所述屏蔽装置设置于屏蔽罩外，并位于所述第一导电件的两端之间。

优选地，所述第一导电件包括穿过漏电脱扣器的中心通孔的导电底边和分别与导电底边两端连接的两个导电侧边，导电底边和两个导电侧边成U型，两个导电侧边分别位于漏电脱扣器的两侧，两个屏蔽装置分别设置在两个导电侧边与漏电脱扣器之间。

优选地，所述漏电脱扣器包括外壳，外壳内设有第一容纳腔和分别设置在第一容纳腔两侧的两个第二容纳腔，第一容纳腔成环形且设有所述中心通孔，屏蔽罩和被屏蔽罩所包围的零序互感器设置在第一容纳腔内，所述屏蔽装置设置在第二容纳腔内，第二容纳腔在垂直于中心通孔轴向的两侧侧壁处设有屏蔽装置。

优选地，所述屏蔽装置为多个平行间隔设置的方形屏蔽片。

优选地，所述零序互感器包括相适配的铁芯和罩壳，所述铁芯为圆环形，设置于罩壳内。

优选地，所述屏蔽罩包括第一屏蔽片、第二屏蔽片和两个第三屏蔽片，所述两个第三屏蔽片平行间隔设置，第一屏蔽片、第二屏蔽片连接于两个第三屏蔽片之间，第一屏蔽片、第二屏蔽片与第三屏蔽片之间形成封闭的用于容纳零序互感器的容纳腔。

优选地，所述第一屏蔽片、第二屏蔽片与第三屏蔽片均为圆环形硅钢片。

优选地，所述第一导电件的数量为两个，漏电脱扣器对应每个第一导电件均设有所述屏蔽装置。

优选地，还包括第二导电件，两个第一导电件对称设置，位于中心通孔内两侧边缘，所述第二导电件穿过漏电脱扣器的中心通孔，并位于两个第一导电件之间。

优选地，所述第一容纳腔和第二容纳腔内还填充有环氧树脂。