[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件有效
| 申请号： | 202120804787.2 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN215008197U | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 广东可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/552;H01L23/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙) 44699 | 代理人： | 熊士昌 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区沙头街道天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽。本实用新型在使用时，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 eas vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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