[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件

权利要求书

1.一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管(1)，其特征在于，所述VDMOS管(1)的顶部套接有屏蔽层(5)，且屏蔽层(5)的外壁固定连接有隔温层(4)，所述屏蔽层(5)两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管(1)两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽(6)，所述VDMOS管(1)两侧的底部均固定连接有限位板(7)，两个限位板(7)的顶部均固定连接有密封条(8)。

2.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述屏蔽层(5)顶部内壁的中间位置嵌接有定位件(2)，且定位件(2)的底部粘接有缓冲垫(3)，缓冲垫(3)采用泡棉材质。

3.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述VDMOS管(1)的宽度加上两个密封条(8)的最大宽度等于屏蔽层(5)内壁的宽度，且两个密封条(8)相远离一侧的顶部均设置为斜角。

4.根据权利要求3所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述隔温层(4)两侧内壁的底部均设置有凸条(22)，且两个密封条(8)相远离的一侧均开设有适配于凸条(22)的横槽(21)，密封条(8)采用橡胶材质。

5.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述隔温层(4)采用泡沫塑料材料，且屏蔽层(5)采用铝合金材料。

6.根据权利要求1所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述自锁组件包括壳体(9)、橡胶球(10)、挡板(11)、卡杆(12)，且壳体(9)固定连接于屏蔽层(5)的内壁，壳体(9)顶部的一侧开设有收纳腔(15)，卡杆(12)的一端通过销轴转动连接于收纳腔(15)的底部内壁，橡胶球(10)套接于卡杆(12)远离壳体(9)的一端，壳体(9)靠近橡胶球(10)一侧的底部倾斜固定有挡板(11)，挡板(11)靠近卡杆(12)的一侧粘接有垫板(13)，卡杆(12)的杆体开设有适配于垫板(13)的嵌槽，垫板(13)为橡胶材质。

7.根据权利要求6所述的一种高EAS的VDMOS器件，其特征在于，所述收纳腔(15)顶部的内壁固定连接有导轨(19)，且导轨(19)的一侧滑动连接有滑块(18)，滑块(18)与卡杆(12)之间转动连接有同一个转向杆(20)，滑块(18)一侧的顶部固定连接有推板(17)，推板(17)顶部的中间位置固定连接有滑杆(14)，滑杆(14)的外部套接有弹簧(16)，滑杆(14)的顶部与壳体(9)的顶部滑动连接。