[实用新型]一种高EAS的VDMOS器件

说明书

本实用新型公开了一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽。本实用新型在使用时，隔温层与密封条为VDMOS管共同构建密闭的隔温环境，使VDMOS管的管体温度不受散热元件影响而降温，可以维持高水平的雪崩击穿电压，屏蔽层则保护VDMOS管不受外界电场干扰，多角度提升VDMOS管的使用寿命，自锁组件无需额外的加固步骤，可以伴随隔温层和屏蔽层的下压过程自动锁合卡槽，降低器件的装配成本。

技术领域

本实用新型涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种高EAS的VDMOS器件。

背景技术

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流。

雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。当反向电压大到一定数值时，载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。这个过程称为碰撞电离。新产生的自由电子-空穴对，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子-空穴对。随着温度的升高，晶格的热振动加剧，致使载流子运动的平均自由路程缩短。因此，在与原子碰撞前由外加电场加速获得的能量减小，发生碰撞电离的可能性也相应减小。在这种情况下，只有提高反向电压，进一步增强电场，才能发生雪崩击穿。

因此，雪崩击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数，目前的电子器件通常配备散热组件，降低元器件的环境温度以及阻抗，对于VDMOS管，在温度降低后，EAS会同步降低，发生雪崩击穿的可能性随之增加，过低的环境温度对VDMOS管来说得不偿失，因此亟需设计一种高EAS的VDMOS器件来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高EAS的VDMOS器件。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种高EAS的VDMOS器件，包括VDMOS管，所述VDMOS管的顶部套接有屏蔽层，且屏蔽层的外壁固定连接有隔温层，所述屏蔽层两侧内壁的中部固定连接有对称设置的自锁组件，且VDMOS管两侧的中部均开设有适配于自锁组件的卡槽，所述VDMOS管两侧的底部均固定连接有限位板，两个限位板的顶部均固定连接有密封条。

优选的，所述屏蔽层顶部内壁的中间位置嵌接有定位件，且定位件的底部粘接有缓冲垫，缓冲垫采用泡棉材质。

优选的，所述VDMOS管的宽度加上两个密封条的最大宽度等于屏蔽层内壁的宽度，且两个密封条相远离一侧的顶部均设置为斜角。

优选的，所述隔温层两侧内壁的底部均设置有凸条，且两个密封条相远离的一侧均开设有适配于凸条的横槽，密封条采用橡胶材质。

优选的，所述隔温层采用泡沫塑料材料，且屏蔽层采用铝合金材料。

优选的，所述自锁组件包括壳体、橡胶球、挡板、卡杆，且壳体固定连接于屏蔽层的内壁，壳体顶部的一侧开设有收纳腔，卡杆的一端通过销轴转动连接于收纳腔的底部内壁，橡胶球套接于卡杆远离壳体的一端，壳体靠近橡胶球一侧的底部倾斜固定有挡板，挡板靠近卡杆的一侧粘接有垫板，卡杆的杆体开设有适配于垫板的嵌槽，垫板为橡胶材质。

优选的，所述收纳腔顶部的内壁固定连接有导轨，且导轨的一侧滑动连接有滑块，滑块与卡杆之间转动连接有同一个转向杆，滑块一侧的顶部固定连接有推板，推板顶部的中间位置固定连接有滑杆，滑杆的外部套接有弹簧，滑杆的顶部与壳体的顶部滑动连接。