[实用新型]一种新型的光电探测器有效
| 申请号: | 202120798457.7 | 申请日: | 2021-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN215496745U | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 陈明艳;龚奎;杨稳 | 申请(专利权)人: | 鸿之微科技(上海)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/08 |
| 代理公司: | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人: | 吴雅丽 |
| 地址: | 201206 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本实用新型公开了一种新型的光电探测器,包括绝缘衬底,以及与绝缘衬底的一侧连接的磷烯层,以及与磷烯层的另外一侧连接的防反射膜,以及与防反射膜的两侧连接的第一电极和第二电极,且第一电极和第二电极还与磷烯层连接,通过将光子的角动量传递到由光选择规则控制的电子上使电子的自旋自由,这种自旋的引入使得器件具有隧穿磁阻,与传统的以源‑漏偏压为基础的新型的光电探测器相比降低了能耗,也能实现良好的自旋滤波和良好的自旋阀效应,这对发展低能耗纳米自旋电子器件有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 新型 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





