[实用新型]一种新型的光电探测器有效
| 申请号： | 202120798457.7 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN215496745U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 陈明艳;龚奎;杨稳 | 申请（专利权）人： | 鸿之微科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/08 |
| 代理公司： | 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 | 代理人： | 吴雅丽 |
| 地址： | 201206 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 光电 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的光电探测器，其特征在于，包括绝缘衬底(1)，以及
与绝缘衬底(1)的一侧连接的磷烯层(2)，以及
与磷烯层(2)的另外一侧连接的防反射膜(5)，以及
与防反射膜(5)的两侧连接的第一电极(3)和第二电极(4)，且第一电极(3)和第二电极(4)还与磷烯层(2)连接；
第一电极(3)和第二电极(4)的材质为具有磁性的镍金属；磷烯层(2)的厚度小于10nm；绝缘衬底(1)可以为聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)；绝缘衬底(1)也可以为玻璃或硅；防反射膜(5)的材质为SiO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
