[实用新型]一种新型的光电探测器有效

专利信息
申请号: 202120798457.7 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN215496745U 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 陈明艳;龚奎;杨稳 申请(专利权)人: 鸿之微科技(上海)股份有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/08
代理公司: 深圳市深软翰琪知识产权代理有限公司 44380 代理人: 吴雅丽
地址: 201206 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 光电 探测器
【说明书】:

实用新型公开了一种新型的光电探测器,包括绝缘衬底,以及与绝缘衬底的一侧连接的磷烯层,以及与磷烯层的另外一侧连接的防反射膜,以及与防反射膜的两侧连接的第一电极和第二电极,且第一电极和第二电极还与磷烯层连接,通过将光子的角动量传递到由光选择规则控制的电子上使电子的自旋自由,这种自旋的引入使得器件具有隧穿磁阻,与传统的以源‑漏偏压为基础的新型的光电探测器相比降低了能耗,也能实现良好的自旋滤波和良好的自旋阀效应,这对发展低能耗纳米自旋电子器件有重要的意义。

技术领域

本实用新型涉及电子器件相关领域,具体是一种新型的光电探测器。

背景技术

光生电流效应是发生在偏振光照射下缺乏空间反转对称的材料中的光电效应,该效应可以作为一种自动力技术,收获光子产生持久的光电流,没有任何外部偏置或自建的内场, PGE可以通过将光子的角动量传递到由光选择规则控制的电子上使电子的自旋自由,这种自旋的引入使得器件具有隧穿磁阻,与传统的以源-漏偏压为基础的新型的光电探测器相比降低了能耗,也能实现良好的自旋滤波和良好的自旋阀效应,这对发展低能耗纳米自旋电子器件有重要的意义。

所以现在提出一种解决上述问题的新型的光电探测器。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种新型的光电探测器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种新型的光电探测器,包括绝缘衬底,以及

与绝缘衬底的一侧连接的磷烯层,以及

与磷烯层的另外一侧连接的防反射膜,以及

与防反射膜的两侧连接的第一电极和第二电极,且第一电极和第二电极还与磷烯层连接。

作为本实用新型进一步的方案:第一电极和第二电极的材质为具有磁性的镍金属。

作为本实用新型再进一步的方案:磷烯层的厚度小于10nm。

作为本实用新型再进一步的方案:绝缘衬底可以为聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)

作为本实用新型再进一步的方案:绝缘衬底也可以为玻璃或硅。

作为本实用新型再进一步的方案:防反射膜的材质为SiO2

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:由于电极为具有磁性材料的镍结构,使得磷烯层2结构的反演对称性发生改变,当中心区域的独立磷烯受到线偏振光或椭圆偏振光照射时,可以获得由光生电流效应诱导产生的自旋极化光电流,在线(椭)偏光的照射下,可以在新型的光电探测器中获得电流,使新型的光电探测器实现自供电。通过调节光的偏振度和光子的能量大小,可以获得高达360%的隧穿磁阻率和完全自旋极化的光电流,自旋注入效率(SIE)与两个铁磁电极的自旋结构有关,当自旋处于平行结构或反平行结构时,光电流对所有光子能量都显示出完全的正弦依赖性,对于特定的光子能量,处于平行结构的自旋注入效率(SIE)为一恒定值,对于反平行结构,SIE随着偏振角的变化而变化,在不同的光子能量下最大SIE接近100%。

附图说明

图1为新型的光电探测器的结构示意图。

图中:1-绝缘衬底、2-磷烯层、3-第一电极、4-第二电极、5-防反射膜。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

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