[实用新型]一种高电流密度的IGBT功率模块有效
| 申请号： | 202120785945.4 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214797400U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 产启平;王凯锋 | 申请（专利权）人： | 合肥中恒微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L25/07;H02M1/00 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 殷娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高电流密度的IGBT功率模块，包括固定在底板上的DBC基板和沿同一直线设置在DBC基板上的三个功率端子。所述DBC基板包括设置为异形结构的上桥基板和下桥基板，所述上桥基板上和所述下桥基板上均设置有四并及以上的功率半导体芯片。所述功率端子包括“门框型”电源连接部、与“门框型”电源连接部的自由端连接的“C型”缓冲部。设置异形结构在保证IGBT功率模块各元件顺利安装排布的同时，使DBC基板本体的空间得到最大化利用。上、下桥基板上的功率半导体芯片均设置为四个且并联设置，并联能将大电流均分到每个芯片上。设置“C型”缓冲部能有效的缓冲上端安装时产生的压力，避免压力直接传递到DBC基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流密度 igbt 功率 模块 | ||
【主权项】：
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