[实用新型]一种高电流密度的IGBT功率模块

权利要求书

1.一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：包括固定在底板上的DBC基板和沿同一直线设置在DBC基板上的三个功率端子；

所述DBC基板包括设置为异形结构的上桥基板和下桥基板，所述上桥基板上和所述下桥基板上均设置有四并及以上的功率半导体芯片，且所述功率半导体芯片门级朝向外侧，所述DBC基板边缘处环设有芯片门极信号线；

所述功率端子包括“门框型”电源连接部、与“门框型”电源连接部的自由端连接的“C型”缓冲部、与所述“C型”缓冲部的游离端连接的水平支撑部，与水平支撑部连接的焊接部，所述“C型”缓冲部靠口朝向外侧，所述水平支撑部设置有槽型缺口，所述焊接部固定在水平支撑部的槽型缺口朝向一侧，所述功率端子通过超声焊接在DBC基板上。

2.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：三个所述功率端子分别为依次设置在上桥基板上的正极P端子、设置在下桥基板上的功率AC端子和负极N端子，所述上桥基板上的电流通过三通道流入功率AC端子，所述下桥基板的电流通过两通道流入负极N端子。

3.根据权利要求2所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述三通道包括并排设置在下桥基板上的第一铜层通道、第二铜层通道和第三铜层通道；所述两通道包括设置在下桥基板上且位于第二通道两侧的第四铜层通道和第五铜层通道，所述第四铜层通道和第五铜层通道与负极N端子直接连接。

4.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述DBC基板上设置有通过分段铜层跳线连接的E极信号线，所述功率半导体芯片为四并，且四个功率半导体芯片分别位于E极信号线两侧。

5.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述DBC基板的四个角均为弧口朝外的弧形角，所述芯片门极信号线通过分段铜层跳线连接，且所述分段铜层在弧形角处断开并通过铝线键合。

6.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述“C型”缓冲部侧边长度小于“门框型”电源连接部侧边的长度，且所述“C型”缓冲部一端与“门框型”电源连接部一端对齐、另一端与“门框型”电源连接部之间形成缺口，所述缺口和焊接部分别位于水平支撑部两侧。

7.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述焊接部设置在槽型缺口远离“C型”缓冲部侧，焊接部设置为L形，且所述焊接部的竖直部与水平支撑部固定。

8.根据权利要求1所述的一种高电流密度的IGBT功率模块，其特征在于：所述“门框型”电源连接部顶部设置有螺栓接口。