[实用新型]一种高压硅堆有效
| 申请号： | 202120781835.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214848616U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜 | 申请（专利权）人： | 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型属于二极管技术领域，尤其涉及一种高压硅堆，包括引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ、硅堆本体和封装外壳；硅堆本体包括硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ，硅堆单元Ⅰ的负极与硅堆单元Ⅱ的正极连接；硅堆单元Ⅱ和硅堆单元Ⅱ硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ中分别包含有若干个芯片堆；引脚Ⅰ与硅堆单元Ⅰ的正极连接，引脚Ⅱ与硅堆单元Ⅱ的负极连接，引脚Ⅲ与硅堆单元Ⅰ的负极或硅堆单元Ⅱ的正极连接。本技术方案集成度高，单个产品即可代替两个现有高压硅堆产品的使用，具有使用方便和安装效率高等特点，同时使散热区域得以分散，提高了产品的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 | ||
【主权项】：
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