[实用新型]一种高压硅堆

说明书

本实用新型属于二极管技术领域，尤其涉及一种高压硅堆，包括引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ、硅堆本体和封装外壳；硅堆本体包括硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ，硅堆单元Ⅰ的负极与硅堆单元Ⅱ的正极连接；硅堆单元Ⅱ和硅堆单元Ⅱ硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ中分别包含有若干个芯片堆；引脚Ⅰ与硅堆单元Ⅰ的正极连接，引脚Ⅱ与硅堆单元Ⅱ的负极连接，引脚Ⅲ与硅堆单元Ⅰ的负极或硅堆单元Ⅱ的正极连接。本技术方案集成度高，单个产品即可代替两个现有高压硅堆产品的使用，具有使用方便和安装效率高等特点，同时使散热区域得以分散，提高了产品的散热能力。

技术领域

本实用新型属于二极管技术领域，尤其涉及一种高压硅堆。

背景技术

高压硅堆又叫硅柱，它是一种硅高频高压整流二极管，具有体积小、重量轻、机械强度高、使用简便和无辐射等优点，其工作电压在几千伏至几万伏之间，普遍用于直流高压设备中作为基本的整流元件。

现有高压硅堆普遍采用二极管叠加串联封装工艺，主要封装方式如图1所示，包括两根同轴间隔设置的引脚，两个引脚之间多颗二极管芯片通过锡膏叠加焊接，表面采用环氧树脂进行封装，实际应用中，为满足使用需求，如在微波炉的使用中，需要将两颗高压硅堆串联使用，如图2所示，以达到反向电压叠加升高的目的，如此一来，出现了成本高、安装效率低、安装占空间、电路结构复杂等问题。另外，在一些用电设备的内部电路中，主流一般采用350mA工作电流，才能使高压硅堆工作温度基本在用电设备的安全范围内，根据市场需求，客户若想要提高工作电流，高压硅堆散热问题无法得到解决。

发明内容

本实用新型的目的在于根据现有技术的不足，提供一种高压硅堆，具有低成本和高集成化的特点，单个产品即可代替现两个现有高压硅堆产品的使用，使用简单方便，为简化电路打下了良好的基础，同时分散了散热区域以提升产品的散热能力。

具体通过以下技术方案实现（需要说明的是，本技术方案所说的芯片皆是指二极管芯片）：

一种高压硅堆，包括引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ、硅堆本体和压塑（塑料或橡胶胶料在闭合模腔内借助加热、加压而成型为制品的塑料加工方法）于硅堆本体外部的封装外壳，优选的，所述封装外壳由环氧树脂制成；所述硅堆本体包括两个在同一平面平行设置的硅堆单元，分别为硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ。在高压硅堆中，二极管芯片集中区域温度高会导致二极管漏电流更大，漏电流的增加再次导致温度提升，如此热叠加循环，使产品热平衡时相对温度更高，基于此，可将芯片本体区域分散，以降低产品的热平衡温度，具体的，两个硅堆单元的结构相同，每个硅堆单元中都包含有若干个在同一平面并排设置、且依次同向串联的芯片堆（每个芯片堆都带有正极和负极，此处的同向串联的意思是，在相邻两个相连的芯片堆中，其中一个芯片堆的正极与另一个芯片堆的负极连接），目的在于将散热区域分散；硅堆单元Ⅰ中处于负极端的芯片堆的负极与硅堆单元Ⅱ处于正极端的芯片堆的正极连接，即，使两个硅堆单元同向串联；所述引脚Ⅰ的一端穿过封装外壳，并与硅堆单元Ⅰ中处于正极端的芯片堆的正极连接；所述引脚Ⅱ的一端穿过封装外壳，并与硅堆单元Ⅱ中处于负极端的芯片堆的负极连接；所述引脚Ⅲ的一端穿过封装外壳后，与硅堆单元Ⅰ中处于负极端的芯片堆的负极连接，或与硅堆单元Ⅱ中处于正极端的芯片堆的正极连接。

进一步的，所述芯片堆包括负极底板和芯片单元；芯片单元的负极固定于负极底板的顶部，包含有若干个从下至上依次叠加串联的芯片本体。

进一步的，所述芯片单元中，相邻两颗芯片本体之间通过锡膏焊接。

进一步的，所述硅堆单元中包含有三个芯片堆，且两端芯片堆的芯片单元中包含有三颗芯片本体，中间芯片堆的芯片单元中包含有一颗芯片本体。

进一步的，两个所述芯片堆之间通过扁形铜条连接，且扁形铜条的一端焊接于一个芯片堆的负极底板上，扁形铜条的另一端通过锡膏焊接于芯片单元的正极端。