[实用新型]一种高压硅堆有效
| 申请号： | 202120781835.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN214848616U | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜 | 申请（专利权）人： | 乐山希尔电子股份有限公司;成都希尔芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 | ||
1.一种高压硅堆，其特征在于：包括引脚Ⅰ（1）、引脚Ⅱ（2）、引脚Ⅲ（3）、硅堆本体和压塑于硅堆本体外部的封装外壳（4）；
所述硅堆本体包括两个在同一平面平行设置的硅堆单元，分别为硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ；两个硅堆单元的结构相同，每个硅堆单元中都包含有若干个在同一平面并排设置、且依次同向串联的芯片堆（5）；硅堆单元Ⅰ中处于负极端的芯片堆（5）的负极与硅堆单元Ⅱ处于正极端的芯片堆（5）的正极连接；
所述引脚Ⅰ（1）的一端穿过封装外壳（4），并与硅堆单元Ⅰ中处于正极端的芯片堆（5）的正极连接；所述引脚Ⅱ（2）的一端穿过封装外壳（4），并与硅堆单元Ⅱ中处于负极端的芯片堆（5）的负极连接；所述引脚Ⅲ（3）的一端穿过封装外壳（4）后，与硅堆单元Ⅰ中处于负极端的芯片堆（5）的负极连接，或与硅堆单元Ⅱ中处于正极端的芯片堆（5）的正极连接。
2.如权利要求1所述一种高压硅堆，其特征在于：所述芯片堆（5）包括负极底板（5.1）和芯片单元（5.2）；芯片单元（5.2）的负极固定于负极底板（5.1）的顶部，包含有若干个从下至上依次叠加串联的芯片本体（5.2.1）。
3.如权利要求2所述一种高压硅堆，其特征在于：所述芯片单元（5.2）中，相邻两颗芯片本体（5.2.1）之间通过锡膏焊接。
4.如权利要求2所述一种高压硅堆，其特征在于：所述硅堆单元中包含有三个芯片堆（5），且两端芯片堆（5）的芯片单元（5.2）中包含有三颗芯片本体（5.2.1），中间芯片堆（5）的芯片单元（5.2）中包含有一颗芯片本体（5.2.1）。
5.如权利要求2所述一种高压硅堆，其特征在于：两个所述芯片堆（5）之间通过扁形铜条（6）连接，且扁形铜条（6）的一端焊接于一个芯片堆（5）的负极底板（5.1）上，扁形铜条（6）的另一端通过锡膏焊接于芯片单元（5.2）的正极端。
6.如权利要求5所述一种高压硅堆，其特征在于：所述引脚Ⅱ（2）与硅堆单元Ⅱ中处于负极端的芯片堆（5）的负极底板（5.1）一体设置；所述引脚Ⅲ（3）与硅堆单元Ⅰ中处于负极端的芯片堆（5）的负极底板（5.1）一体设置；所述引脚Ⅰ（1）通过扁形铜条（6）与硅堆单元Ⅰ中处于正极端的芯片堆（5）的芯片单元（5.2）正极端连接。
7.如权利要求1所述一种高压硅堆，其特征在于：所述封装外壳（4）由环氧树脂制成。
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