[实用新型]中介层及包括该中介层的布置装置有效
| 申请号： | 202120563635.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN214956806U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 童鸣凯;郑惜金 | 申请（专利权）人： | 奥特斯(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 王晖;曹桓 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于布置在具有用于提供真空力的多个主真空通道(104)的真空抽吸装置(102)与要被处理的部件承载件结构(106)之间的中介层(100)，其中，中介层(100)包括用于安装在真空抽吸装置(102)上并用于承载部件承载件结构(106)的中介层板(108)，以及形成在中介层板(108)的相对两个主表面之间的次级真空通道(110)的网络(190)，并且该次级真空通道(110)的网络(110)被配置成将在中介层板(108)的底部表面(116)处的由真空抽吸装置(102)的主真空通道(104)提供的真空力在空间上重新定向为在中介层板(108)的顶部表面(118)处的经重新定向的真空力模式。还提供了一种包括真空抽吸装置(102)和上述中介层(108)的布置装置(124)。 | ||
| 搜索关键词： | 中介 包括 布置 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
