[实用新型]中介层及包括该中介层的布置装置有效
申请号: | 202120563635.8 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN214956806U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 童鸣凯;郑惜金 | 申请(专利权)人: | 奥特斯(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 王晖;曹桓 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中介 包括 布置 装置 | ||
1.一种中介层(100),所述中介层(100)用于布置在具有用于提供真空力的多个主真空通道(104)的真空抽吸装置(102)与要被处理的部件承载件结构(106)之间,其特征在于,所述中介层(100)包括:
中介层板(108),所述中介层板(108)用于安装在所述真空抽吸装置(102)上并用于承载所述部件承载件结构(106);以及
次级真空通道(110)的网络(190),所述次级真空通道(110)的网络(190)形成在所述中介层板(108)的相对两个主表面之间,并且配置为用于将在所述中介层板(108)的底部表面(116)处的由所述真空抽吸装置(102)的所述主真空通道(104)提供的所述真空力在空间上重新定向为在所述中介层板(108)的顶部表面(118)处的经重新定向的真空力模式。
2.根据权利要求1所述的中介层(100),其特征在于,所述次级真空通道(110)的网络(190)为次级真空通道(110)的分叉网络。
3.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述次级真空通道(110)的网络(190)包括至少一个真空收集腔。
4.根据权利要求3所述的中介层(100),其特征在于,所述至少一个真空收集腔形成为至少一个槽(112)。
5.根据权利要求3所述的中介层(100),其特征在于,所述至少一个真空收集腔形成在所述中介层板(108)中。
6.根据权利要求3所述的中介层(100),其特征在于,所述次级真空通道(110)的网络(190)包括延伸通过所述中介层板(108)的至少一个通孔(114)。
7.根据权利要求6所述的中介层(100),其特征在于,所述至少一个真空收集腔与所述至少一个通孔(114)气体连通。
8.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述次级真空通道(110)的网络(190)被配置用于:将所述底部表面(116)与所述顶部表面(118)之间的所述真空力重新分配,以用于在处理期间保持所述部件承载件结构(106)。
9.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述中介层(100)包括以下特征中的至少一者:
其中,所述中介层板(108)由完全固化的树脂或塑料构成;
其中,所述中介层板(108)包括金属层(120);
其中,所述中介层(100)被构造为图案化的部件承载件结构。
10.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述中介层(100)包括以下特征中的至少一者:
其中,所述中介层板(108)是由具有抗静电性质的材料制成的;
其中,所述中介层板(108)是由能够通过所述真空力而变形的弹性材料制成的。
11.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述中介层板(108)的要被安装有所述部件承载件结构(106)的所述顶部表面(118)具有相比于另一表面区域降低的粗糙度。
12.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述中介层板(108)具有在从0.5毫米至10毫米的范围内的厚度(d)。
13.根据权利要求1或2所述的中介层(100),其特征在于,所述中介层板(108)包括在所述中介层板的顶部表面(118)处的至少一个残留材料收集腔,所述至少一个残留材料收集腔与所述次级真空通道(110)的网络(190)是断开联接的并且适于容纳在所述部件承载件结构(106)的处理期间产生的残留材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造