[实用新型]芯片结构、压力芯体及压力传感器有效

专利信息
申请号: 202120539636.9 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN214471428U 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 王小平;曹万;杨军 申请(专利权)人: 武汉飞恩微电子有限公司
主分类号: G01L1/00 分类号: G01L1/00;G01L19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型提供一种芯片结构、压力芯体及压力传感器,该芯片结构包括玻璃底板、硅片主体以及玻璃盖板,玻璃底板沿上下方向贯设有介质孔,硅片主体设于所述玻璃底板上且具有感应区,所述感应区具有开口朝下的第一腔体,所述开口自上而下呈渐宽设置,所述开口罩设所述介质孔,所述开口的最大孔径为,最小孔径为D2,第一腔体的高度为H,玻璃盖板设于所述硅片主体上且具有槽口朝下的第一凹槽,所述槽口完全罩设所述感应区,其中,0.732mm≤D1≤0.8mm,0.40mm≤D2≤0.43mm。
搜索关键词: 芯片 结构 压力 压力传感器
【主权项】:
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