[实用新型]芯片结构、压力芯体及压力传感器有效
| 申请号: | 202120539636.9 | 申请日: | 2021-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN214471428U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 王小平;曹万;杨军 | 申请(专利权)人: | 武汉飞恩微电子有限公司 |
| 主分类号: | G01L1/00 | 分类号: | G01L1/00;G01L19/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 结构 压力 压力传感器 | ||
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:
玻璃底板,沿上下方向贯设有介质孔;
硅片主体,设于所述玻璃底板上且具有感应区,所述感应区具有开口朝下的第一腔体,所述开口自上而下呈渐宽设置,所述开口罩设所述介质孔,所述开口的最大孔径为D1,最小孔径为D2;
玻璃盖板,设于所述硅片主体上且具有槽口朝下的第一凹槽,所述槽口完全罩设所述感应区;
其中,0.732mm≤D1≤0.8mm,0.40mm≤D2≤0.43mm。
2.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,D1为0.74mm、0.75mm、0.76mm、0.77mm、0.78mm或者0.79mm。
3.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,D2为0.41mm或者0.42mm。
4.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述硅片主体具有位于所述感应区外围的非感应区,所述非感应区的上表面与所述玻璃盖板的下表面完全接触。
5.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,第一腔体的高度为H,0.24mm≤H≤0.265mm。
6.如权利要求5所述的芯片结构,其特征在于,H为0.25mm或者0.26mm。
7.一种压力芯体,其特征在于,包括如权利要求1至6任意一项所述的芯片结构。
8.一种压力传感器,其特征在于,包括如权利要求7所述的压力芯体。
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