[实用新型]芯片结构、压力芯体及压力传感器

说明书

本实用新型提供一种芯片结构、压力芯体及压力传感器,该芯片结构包括玻璃底板、硅片主体以及玻璃盖板，玻璃底板沿上下方向贯设有介质孔，硅片主体设于所述玻璃底板上且具有感应区，所述感应区具有开口朝下的第一腔体，所述开口自上而下呈渐宽设置，所述开口罩设所述介质孔，所述开口的最大孔径为，最小孔径为D2，第一腔体的高度为H，玻璃盖板设于所述硅片主体上且具有槽口朝下的第一凹槽，所述槽口完全罩设所述感应区，其中，0.732mm≤D1≤0.8mm，0.40mm≤D2≤0.43mm。

技术领域

本实用新型实施例涉及压力传感器技术领域，特别涉及一种芯片结构、压力芯体及压力传感器。

背景技术

压力传感器(Pressure Transducer)是能感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号的器件或装置。芯片结构是压力传感器的核心器件之一，然而现有技术中的芯片结构，爆破压力小。

实用新型内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种芯片结构、压力芯体及压力传感器，旨在提供提高现有技术中芯片结构的爆破压力。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种芯片结构，包括：

玻璃底板，沿上下方向贯设有介质孔；

硅片主体，设于所述玻璃底板上且具有感应区，所述感应区具有开口朝下的第一腔体，所述开口自上而下呈渐宽设置，所述开口罩设所述介质孔，所述开口的最大孔径为D1，最小孔径为D2；

玻璃盖板，设于所述硅片主体上且具有槽口朝下的第一凹槽，所述槽口完全罩设所述感应区；

其中，0.732mm≤D1≤0.8mm，0.40mm≤D2≤0.43mm。

本实用新型通过将第一腔体的开口减小并设置所述开口的最大孔径为D1，最小孔径为D2，0.732mm≤D1≤0.8mm，0.40mm≤D2≤0.43mm，如此，在第一腔体高度一定时，减小腔体体积，如此可以增大玻璃-硅阳极键合面积，从而增大机械可靠性，达到增大爆破压力的效果。

优选地，D1为0.74mm、0.75mm、0.76mm、0.77mm、0.78mm或者0.79mm。

优选地，D2为0.41mm或者0.42mm。

优选地，所述硅片主体具有位于所述感应区外围的非感应区，所述非感应区的上表面与所述玻璃盖板的下表面完全接触。

优选地，第一腔体的高度为H，0.24mm≤H≤0.265mm。

优选地，H为0.25mm或者0.26mm。

为了实现上述目的，本实用新型还提供一种压力芯体，包括上述的芯片结构。

为了实现上述目的，本实用新型还提供一种压力传感器，包括上述的压力芯体。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为现有技术中芯片结构的剖视图；

图2为本实用新型提供的芯片结构一实施例的剖视图；

图3为图2中硅片主体在1MPa压力工况时的仿真图；

图4为图3的剖视图；

图5为图2中硅片主体在1MPa压力工况时的应力云图；

图6为图5在另一视角的应力云图。

现有技术附图标号说明：