[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管有效
| 申请号： | 202120533225.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN214542242U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 郑事展 | 申请（专利权）人： | 力智电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人： | 李肇伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区莲花街道福中社区金田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 栅极 沟槽 晶体管 | ||
【主权项】：
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