[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管

说明书

一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及晶体管，尤其是一种遮蔽栅极式沟槽晶体管。

背景技术

遮蔽栅极式沟槽晶体管(SGT，shielded gate electron transistor)，其包括衬底，衬底上具有控制组件导通与否的主动沟槽和防止漏电流的终端沟槽，多条主动沟槽呈平行设置，终端沟槽围绕主动沟槽，当组件导通时，主动沟槽中栅电极通电使电流沿垂直组件表面的方向流入元件。在中高压(60V～150V)应用时，组件边缘的崩溃电压要求变高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，解决现有技术存在的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括衬底、终端电极、金属层、第一接触栓及第二接触栓。衬底具有主动沟槽、围绕主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，第一终端沟槽设置于主动沟槽与第二终端沟槽之间；终端电极设置于第一及第二终端沟槽内；金属层设置于衬底的上表面；第一接触栓设置于第一终端沟槽上，电性连接金属层与第一终端沟槽中的终端电极；第二接触栓设置于第二终端沟槽上，具有与第二终端沟槽相同延伸方向的长条型外观，电性连接金属层与第二终端沟槽中的终端电极，第二接触栓的俯视长度大于第一接触栓的俯视长度。本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以达到改善终端区的隔离效果，同时可使元件具有较平均的电流分布。

作为改进，至少一条第二终端沟槽上设置有第二接触栓。

作为改进，衬底、终端电极、金属层之间通过介电层彼此隔离。

作为改进，主动沟槽内具有设置于主动沟槽下部的下部电极、设置于主动沟槽上部的上部电极、设置于下部电极与上部电极之间的层间绝缘层。

作为改进，主动沟槽内还包括下部介电层，设置于主动沟槽的下部，隔离下部电极与衬底。

作为改进，主动沟槽内还包括上部介电层，设置于主动沟槽的上部，隔离上部电极与衬底。

本实用新型与现有技术相比所带来的有益效果是：

本实用新型终端沟槽通过长条型接触栓与源金属层电性连接，可以改善终端区的隔离效果，提高组件边缘的崩溃电压，同时可使组件终端区具有较平均的电场分布，以提高组件的可靠性。

附图说明

图1为本案实施例的沟槽及接触栓分布示意图。

图2为本案实施例的沟槽及接触栓分布剖视图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型作进一步说明。

如图1、2所示，遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底5，衬底5上具有多個平行分布的主动沟槽2和围绕主动沟槽2设置的终端沟槽 1、3。