[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管有效
| 申请号： | 202120533225.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN214542242U | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 郑事展 | 申请（专利权）人： | 力智电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人： | 李肇伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区莲花街道福中社区金田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 遮蔽 栅极 沟槽 晶体管 | ||
1.一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于，包括：
衬底，具有主动沟槽、围绕所述主动沟槽设置的第一终端沟槽及至少一条第二终端沟槽，所述第一终端沟槽设置于所述主动沟槽与所述第二终端沟槽之间；
终端电极，设置于所述第一及第二终端沟槽内；
金属层，设置于所述衬底的上表面；
第一接触栓，设置于第一终端沟槽上，电性连接所述金属层与所述第一终端沟槽中的所述终端电极；以及
第二接触栓，设置于所述第二终端沟槽上，具有与所述第二终端沟槽相同延伸方向的长条型状，电性连接所述金属层与所述第二终端沟槽中的所述终端电极，其中，所述第二接触栓的俯视长度大于所述第一接触栓的俯视长度。
2.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：至少一条所述第二终端沟槽上设置有所述第二接触栓。
3.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述衬底、所述终端电极、所述金属层之间分别通过介电层彼此隔离。
4.根据权利要求1所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内具有设置于所述主动沟槽下部的下部电极、设置于所述主动沟槽上部的上部电极、设置于所述下部电极与所述上部电极之间的层间绝缘层。
5.根据权利要求4所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内还包括下部介电层，设置于所述主动沟槽的下部，隔离下部电极与衬底。
6.根据权利要求4所述的一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，其特征在于：所述主动沟槽内还包括上部介电层，设置于所述主动沟槽的上部，隔离所述上部电极与衬底。
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