[实用新型]一种多芯片并联功率模块有效
| 申请号： | 202120523227.X | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN214203683U | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 余秋萍;孙鹏;赵斌;赵志斌 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘凤玲 |
| 地址： | 102206 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多芯片并联功率模块。该多芯片并联功率模块中的上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元和芯片并联单元；下功率模块与上功率模块的结构相同；覆铜陶瓷基板单元包括栅极覆铜陶瓷基板、辅助源极覆铜陶瓷基板、漏极覆铜陶瓷基板和源极覆铜陶瓷基板；信号汇集区域单元包括栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和源极信号汇集区域；漏极信号汇集区域设在上功率模块的漏极覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元中的MOSFET芯片并联组包括n个并联且沿周向排布的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极和漏极分别与相应的信号汇集区域连接。本实用新型解决了并联芯片间的电流分配不均衡的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 功率 模块 | ||
【主权项】：
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