[实用新型]一种太阳电池的膜层结构有效
申请号: | 202120502713.3 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN216161746U | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 王洪喆;刘勇;蔡伦;闫用用 | 申请(专利权)人: | 一道新能源科技(衢州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/041 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 324022 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构,属于光伏技术领域。本实用新型提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层,在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层,其中,N型发射极和P型晶硅衬底相接,从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求,又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性,有效提高电池组件的组件可靠性,应对复杂的应用环境,使用范围更广。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的