[实用新型]一种太阳电池的膜层结构有效

专利信息
申请号: 202120502713.3 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN216161746U 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 王洪喆;刘勇;蔡伦;闫用用 申请(专利权)人: 一道新能源科技(衢州)有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/041
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 324022 浙江省衢州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳电池 结构
【权利要求书】:

1.一种太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述太阳电池的膜层结构包括:

在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括:

抗诱导电势差衰减的第一钝化层,抗反射且满足预设透光率的第二钝化层,以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层;

在所述P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括:

抗光热诱导衰减的第四钝化层,以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层;

所述N型发射极与所述P型晶硅衬底相接。

2.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述预设透光率为透光率≥92%。

3.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述第一钝化层的厚度≥10纳米且≤25纳米,第二钝化层的厚度≥25纳米且≤40纳米,第三钝化层的厚度≥20纳米且≤50纳米。

4.根据权利要求1所述的太阳电池的膜层结构,其特征在于,所述第四钝化层的厚度≥10纳米且≤100纳米,所述第五钝化层的厚度≥40纳米。

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