[实用新型]一种太阳电池的膜层结构

说明书

本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构，属于光伏技术领域。本实用新型提供的太阳电池的膜层结构中在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括抗诱导电势差衰减的第一钝化层，抗反射且满足预设透光率的第二钝化层，以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层，在P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括抗光热诱导衰减的第四钝化层，以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层，其中，N型发射极和P型晶硅衬底相接，从而既满足太阳电池各膜层结构的钝化、抗反射需求，又保证太阳电池具有抗PID、抗LeTID特性，有效提高电池组件的组件可靠性，应对复杂的应用环境，使用范围更广。

技术领域

本实用新型涉及光伏技术领域，更具体地，涉及一种太阳电池的膜层结构。

背景技术

太阳电池是低成本、高效率的可再生能源，其中，太阳电池的光电转换效率以及组件可靠性反应其在实际应用中性能的主要参数。而为了应对实际应用环境中复杂的影响因素，提升太阳电池的组件可靠性，对太阳电池的镀膜技术也提出了更高的要求。

通常来说，现有太阳电池的薄膜仅能满足部分需求，如膜层结构中满足抗PID(Potential Induced Degradation，诱导电势差衰减)特性时无法保证膜层良好的钝化，保证对膜层良好的钝化，无法满足抗PID特性或良好的光吸收效果，或者，满足氢钝化效果，无法保证抗LeTID(Light and elevated Temperature Induced Degradation，光热诱导衰减)效果等等，顾此失彼导致太阳电池的组件可靠性低，不能应对复杂的实际应用环境，使用范围小。

发明内容

本实用新型提供了一种太阳电池的膜层结构，以解决现有技术中太阳电池的组件可靠性低，不能应对复杂的实际应用环境，使用范围小的问题。

第一方面，提供了一种太阳电池的膜层结构，所述太阳电池的膜层结构包括：

在N型发射极上远离P型晶硅衬底的方向依次包括：

抗诱导电势差衰减的第一钝化层，抗反射且满足预设透光率的第二钝化层，以及抗反射、满足预设透光率且减少栅线处金属复合作用的第三钝化层；

在所述P型晶硅衬底上远离所述N型发射极的方向依次包括：

抗光热诱导衰减的第四钝化层，以及抗反射、满足预设透光率、抗诱导电势差衰减且抗光热诱导衰减的第五钝化层。

可选地，所述第一钝化层包括折射率≥2.1的氮化硅层、折射率≥2.1的非晶硅层、折射率≤1.7的氧化硅层中的至少两种。

可选地，所述第二钝化层包括折射率≥1.9且≤2.15的氮化硅层、折射率≥1.75且≤2.0的氮氧化硅层中的至少一种。

可选地，所述第三钝化层包括折射率≥1.9且≤2.05的氮化硅层、折射率≥1.7且≤1.85的氮氧化硅层、折射率≥1.6且小于等于1.75的氧化硅层中的至少一种。

可选地，所述第四钝化层包括折射率≥1.4且≤1.75的氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷氮化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺氮氧化硅层、折射率≥1.4且≤1.75的掺磷非晶硅层、折射率≥1.4且≤1.75的N型氧化锌层、折射率≥1.4且≤1.75的氧化钛层中的至少一种。

可选地，所述第五钝化层包括折射率≥1.98且≤2.2的氮化硅层、折射率≥1.7且≤2的氮氧化硅层、折射率≥1.6且≤1.7的氧化硅层中的至少两种。

可选地，所述预设透光率为透光率≥92％。

可选地，所述第一钝化层的厚度≥10纳米且≤25纳米，第二钝化层的厚度≥25纳米且≤40纳米，第三钝化层的厚度≥20纳米且≤50纳米。