[实用新型]一种MEMS热电堆芯片温度传感器的封装结构有效
申请号: | 202120245489.4 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN213985403U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 陈贤明 | 申请(专利权)人: | 罗定市英格半导体科技有限公司 |
主分类号: | G01J5/12 | 分类号: | G01J5/12;B81B7/00;B81B7/02 |
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地址: | 527200 广东省云*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种MEMS热电堆芯片温度传感器的封装结构,包括基板,基板的顶端中部设置有衬板,衬板的顶端中部卡接设置有芯片温度传感器,衬板的两侧竖直开设有通孔,基板的顶端两侧均设置有焊盘,焊盘卡接于通孔的底部,基板的顶端设置有封帽,基板的底端两侧设置有引脚焊盘。有益效果:通过将芯片温度传感器卡接于衬板的中部,可以保证芯片温度传感器的安装稳定性,并有效的避免其在工作过程中被压坏;另外,通过采用MEMS通孔互连技术实现芯片温度传感器的输出端与基板上引脚进行电连接,从而实现芯片温度传感器的微型化封装,而且芯片温度传感器通过金线球焊连接到基板上,这样可以有效的缩短信号的传输路径。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 热电 芯片 温度传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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