[实用新型]双电晶体的封装结构有效
| 申请号： | 202120239906.4 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN214477435U | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 颜宗贤;王兴烨;沈峰睿;吴家荣 | 申请（专利权）人： | 鸿镓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双电晶体的封装结构，包括有一基板，其内部设有第一、第二、第三及第四导电部，其中第一导电部延伸至基板正面形成有一第一接点，且延伸至基板背面形成有一汲极输出接点；第二导电部延伸至基板正面形成有一第二接点，且延伸至基板正面形成有一第三接点，以及延伸至基板背面形成有一源极输出接点；第三导电部延伸至基板正面形成有一第四接点，且延伸至基板背面形成有一闸极输出接点。一第一电晶体以其汲极连接第一接点，闸极连接第二接点，源极连接第四导电部。一第二电晶体以其源极连接第三接点，闸极连接第四接点，汲极连接第四导电部。 | ||
| 搜索关键词： | 电晶体 封装 结构 | ||
【主权项】：
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