[实用新型]双电晶体的封装结构

说明书

本实用新型提供一种双电晶体的封装结构，包括有一基板，其内部设有第一、第二、第三及第四导电部，其中第一导电部延伸至基板正面形成有一第一接点，且延伸至基板背面形成有一汲极输出接点；第二导电部延伸至基板正面形成有一第二接点，且延伸至基板正面形成有一第三接点，以及延伸至基板背面形成有一源极输出接点；第三导电部延伸至基板正面形成有一第四接点，且延伸至基板背面形成有一闸极输出接点。一第一电晶体以其汲极连接第一接点，闸极连接第二接点，源极连接第四导电部。一第二电晶体以其源极连接第三接点，闸极连接第四接点，汲极连接第四导电部。

技术领域

本实用新型与半导体元件封装结构有关，尤指一种双电晶体的封装结构。

背景技术

相较于传统的硅质金氧半场效电晶体(Si metal oxide semiconductor fieldeffect transistor；Si MOSFET)，氮化镓高电子迁移率电晶体(GaN high electronmobility transistor；GaN HEMT)拥有较宽的能隙、较大的崩溃电压以及较高的载子迁移率，可在较快的切换速度下实现较低的导通电阻。然而，氮化镓高电子迁移率电晶体先天是属于空乏型操作的元件，为了配合其他增强型操作的电子元件进行应用，一种串叠式(cascode)电晶体架构即被提出。

串叠式电晶体系是由一氮化镓高电子迁移率电晶体与一场效电晶体藉借由打线接合(wire bonding)技术串接而形成。借由将场效电晶体设置于串叠式电晶体的闸极端，可使串叠式电晶体成为增强型操作的电子元件并同时拥有氮化镓高电子迁移率电晶体所具有的优点。

然而，借由打线接合技术将氮化镓高电子迁移率电晶体与一场效电晶体进行串接会产生一些问题。第一，连接导线会造成额外的寄生电感(parasitic inductance)，进而限制元件的频率响应，导致元件特性变差。第二，若以打线接合技术实现串叠式电晶体，场效电晶体必须以平面的架构来实现，而平面架构相较于垂直架构制作成本较高。第三，为了避免氮化镓高电子迁移率电晶体的汲极与其他电极之间发生重叠，必须增加氮化镓高电子迁移率电晶体本身的钝化层(passivation layer)的厚度，将导致制造成本提高。

有鉴于此，如何改进上述问题即为本实用新型所欲解决的首要课题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种双电晶体的封装结构，其借由基板内部的导通电路设计以串接两个电晶体，进而减少电晶体之间的打线连接以减少寄生电感，此外亦可帮助散热，达到确保电晶体工作效率的功效。

为达前述的目的，本实用新型提供一种双电晶体的封装结构，其包括有：

一基板，其定义具有一正面及一背面；

一设于该基板内部的第一导电部，其一端延伸至该正面形成有一第一接点，且另一端延伸至该背面形成有一汲极输出接点；

一设于该基板内部的第二导电部，其一端延伸至该正面形成有一第二接点，另一端延伸至该正面形成有一第三接点，又一端延伸至该背面形成有一源极输出接点；

一设于该基板内部的第三导电部，其一端延伸至该正面形成有一第四接点，且另一端延伸至该背面形成有一闸极输出接点；

一设于该基板正面的第四导电部；

一设于该基板正面的第一电晶体，其面对该正面的一侧具有一第一汲极、一第一闸极及一第一源极，其中该第一汲极连接该第一接点，该第一闸极连接该第二接点，该第一源极连接该第四导电部；

一设于该基板正面的第二电晶体，其面对该正面的一侧具有一第二闸极及一第二源极，背对该正面的一侧具有一第二汲极，其中该第二源极连接该第三接点，该第二闸极连接该第四接点，该第二汲极连接该第四导电部。