[实用新型]一种改善金属蒸发角度的承片机构有效
| 申请号: | 202120149500.7 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN213936159U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 张官星;李俊;刘智;张龙 | 申请(专利权)人: | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 潘云峰 |
| 地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本实用新型公开一种改善金属蒸发角度的承片机构,包括行星锅,所述行星锅固定在蒸发腔内,且行星锅开口朝向蒸发源设置;若干个承片盘,若干个所述承片盘均匀布置在所述行星锅内,且承片盘与所述行星锅内壁之间设有支撑机构,所述支撑机构用于支撑并朝蒸发源方向抬起所述承片盘。本实用新型通过支撑机构将承片盘朝蒸发源方向抬起,从而能够有效改善蒸发角度,避免入射角度导致的金属脱落或金属膜分布不均匀现象;结构简单,成本低,能够快速由现有设备改造而来,普及性强;承片盘分别分布在内侧的内盘和环绕布置在外围的外盘,能够有效避免支撑后的干涉问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 改善 金属 蒸发 角度 机构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





