[实用新型]一种改善金属蒸发角度的承片机构有效
| 申请号: | 202120149500.7 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN213936159U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 张官星;李俊;刘智;张龙 | 申请(专利权)人: | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 潘云峰 |
| 地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 金属 蒸发 角度 机构 | ||
1.一种改善金属蒸发角度的承片机构,其特征在于,包括:
行星锅,所述行星锅固定在蒸发腔内,且行星锅开口朝向蒸发源设置;
若干个承片盘,若干个所述承片盘均匀布置在所述行星锅内,且承片盘与所述行星锅内壁之间设有支撑机构,所述支撑机构用于支撑并朝蒸发源方向抬起所述承片盘。
2.根据权利要求1所述的改善金属蒸发角度的承片机构,其特征在于,若干个所述承片盘分为内盘和外盘,所述内盘均匀布置在所述行星锅内中部,所述外盘均匀设置在所述行星锅内外围配合形成环绕所述内盘的环形结构,所述支撑机构包括用于支撑所述外盘的外支撑单元和用于支撑所述内盘的内支撑单元。
3.根据权利要求2所述的改善金属蒸发角度的承片机构,其特征在于,所述外支撑单元包括V型连接件,所述V型连接件设置在所述外盘远离所述行星锅中心一侧,且V型连接件一边端部与所述承片盘固定,另一边外侧面与所述行星锅内壁贴合固定。
4.根据权利要求3所述的改善金属蒸发角度的承片机构,其特征在于,所述外支撑单元还包括外支撑杆,所述外支撑杆设置在所述外盘朝所述行星锅一侧,且外支撑杆顶端与所述承片盘固定,底端与所述行星锅内壁相抵支撑。
5.根据权利要求2所述的改善金属蒸发角度的承片机构,其特征在于,所述内支撑单元包括:
L型连接件,所述L型连接件顶端与所述内盘一侧外缘固定,底边的底面与所述行星锅内壁贴合固定;
内支撑杆,所述内支撑杆顶端与所述内盘另一侧外缘固定,底端与所述行星锅内壁相抵支撑。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州国宇电子有限公司,未经扬州国宇电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202120149500.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动理片器
- 下一篇:一种基于BIM的建筑施工监管装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





