[实用新型]一种改善金属蒸发角度的承片机构有效
| 申请号: | 202120149500.7 | 申请日: | 2021-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN213936159U | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
| 发明(设计)人: | 张官星;李俊;刘智;张龙 | 申请(专利权)人: | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 潘云峰 |
| 地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 金属 蒸发 角度 机构 | ||
本实用新型公开一种改善金属蒸发角度的承片机构,包括行星锅,所述行星锅固定在蒸发腔内,且行星锅开口朝向蒸发源设置;若干个承片盘,若干个所述承片盘均匀布置在所述行星锅内,且承片盘与所述行星锅内壁之间设有支撑机构,所述支撑机构用于支撑并朝蒸发源方向抬起所述承片盘。本实用新型通过支撑机构将承片盘朝蒸发源方向抬起,从而能够有效改善蒸发角度,避免入射角度导致的金属脱落或金属膜分布不均匀现象;结构简单,成本低,能够快速由现有设备改造而来,普及性强;承片盘分别分布在内侧的内盘和环绕布置在外围的外盘,能够有效避免支撑后的干涉问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种改善金属蒸发角度的承片机构。
背景技术
金属剥离工艺是指基片经过涂覆光致抗蚀剂、曝光、显影后,以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩模,带胶蒸发所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂的同时,把胶膜上的金属一起剥离干净,在基片上只剩下原刻出图形的金属。在进行带胶金属蒸发时,一般采用在蒸发源周围环绕设置行星锅,基片通过承片盘固定在行星锅内,通过蒸发源向承片盘上的基片进行金属蒸发。
现有技术中在进行带胶蒸发工艺时,针对一些光刻胶较厚且管芯尺寸较小的产品,会存在蒸发出来的金属存在分布不均匀现象,严重的会导致金属膜电极之间相连,在进行剥离去胶时发生金属脱落的现象或者金属膜分布不均匀现象。这主要是由于蒸发金属源与硅片的入射角度不匹配导致,最理想的入射角度为接近90°,然而为了提高生产效率,蒸发源需要同时对环绕的多个行星锅进行金属蒸发操作,行星锅内也均匀布置有承片盘。因此无法保证所有承片盘的入射角度,仅行星锅中间位置的承片盘入射角度较好。
为了解决承片盘入射角度导致的金属脱落或金属膜分布不均匀现象,现有技术中一般采用以下两种方案:1、扩大蒸发腔室,抬高行星锅,改善行星锅角度,从而实现承片盘入射角度调节,这种方案对设备改动较大,成本高,实现的可行度不高;2、减少行星锅数量,将剩下行星锅挂在蒸发腔室中间,从而实现承片盘入射角度调节,该方案会减少蒸发单炉的加工量,不适合批量生产。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种改善金属蒸发角度的承片机构,以解决现有技术中进行带胶蒸发工艺时,针对一些光刻胶角较厚且管芯尺寸较小的产品会存在蒸发出来的金属存在分布不均匀现象,严重的会导致金属膜电极之间相连,在进行剥离去胶时发生金属脱落的现象或者金属膜分布不均匀现象的技术问题。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:
一种改善金属蒸发角度的承片机构,包括:
行星锅,所述行星锅固定在蒸发腔内,且行星锅开口朝向蒸发源设置;
若干个承片盘,若干个所述承片盘均匀布置在所述行星锅内,且承片盘与所述行星锅内壁之间设有支撑机构,所述支撑机构用于支撑并朝蒸发源方向抬起所述承片盘。
通过采用上述方案,本实用新型通过支撑机构将承片盘朝蒸发源方向抬起,从而能够有效改善蒸发角度,避免入射角度导致的金属脱落或金属膜分布不均匀现象。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进:
进一步的,若干个所述承片盘分为内盘和外盘,所述内盘均匀布置在所述行星锅内中部,所述外盘均匀设置在所述行星锅内外围配合形成环绕所述内盘的环形结构,所述支撑机构包括用于支撑所述外盘的外支撑单元和用于支撑所述内盘的内支撑单元。
通过采用上述方案,内盘均匀布置在中部,外盘布置在外围环绕为一圈,被支撑机构支撑后内盘和外盘处于不同高度,从而有效避免干涉问题。
进一步的,所述外支撑单元包括V型连接件,所述V型连接件设置在所述外盘远离所述行星锅中心一侧,且V型连接件一边端部与所述承片盘固定,另一边外侧面与所述行星锅内壁贴合固定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





