[实用新型]一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件有效
| 申请号： | 202120119385.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214336719U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林大野;蔡钦铭;王治中 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件，其中，金属电极包括依次层叠设于外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本实用新型通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 金属电极 以及 | ||
【主权项】：
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