[实用新型]一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件

说明书

本实用新型公开一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件，其中，金属电极包括依次层叠设于外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本实用新型通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件。

背景技术

在半导体器件的制备工艺中，金属电极是连接内部器件和外部电路的重要组成部分，用于和封装端口进行金属互联形成导电通路。半导体工艺中最常用的金属电极材料是铝，铝作为金属电极材料，能与衬底形成良好的欧姆接触，且制造成本低，可与封装工艺兼容，但是铝不耐腐蚀，这会限制最终制得的半导体器件的应用场景。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件，旨在解决现有金属电极不耐腐蚀的问题。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种半导体器件的金属电极，用以设于外延片上，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。

可选地，所述第一粘结金属层为镍层或钛层。

可选地，所述第二粘结金属层为镍层或钛层。

可选地，所述锗金层的厚度为60～80nm。

可选地，所述第一粘结金属层的厚度为10～20nm。

可选地，所述金层的厚度为70～90nm。

可选地，所述第二粘结金属层的厚度为0.005～0.01nm。

进一步地，本实用新型还提出一种半导体器件，所述半导体器件包括金属电极，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。

可选地，所述半导体器件为晶体二极管、双极型晶体管或场效应晶体管。

本实用新型的技术方案中，所述金属电极包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层，锗金层的粘附性好，能和外延片中的衬底形成良好的欧姆接触；第一粘结金属层作为粘合剂，用于增加锗金和金的粘合度，且其为金属材料，导电性好；金的导电性优异，可用于传输电子，从而增加制得的金属电极的导电性能；最后的第二粘结金属层也用作粘合剂，将金和后续的金属连接，能减少接触电阻，其也为金属材料，导电性好；此外，金和锗金耐腐蚀；如此，本实用新型通过对金属电极的结构的设计，使制得的金属电极导电性好，且不易腐蚀，从而拓宽了制得的半导体器件的应用场景。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的半导体器件的金属电极的一实施例的结构示意图。

附图标号说明：