[实用新型]一种半导体器件的金属电极、以及半导体器件有效
| 申请号： | 202120119385.9 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN214336719U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 林大野;蔡钦铭;王治中 | 申请（专利权）人： | 广州爱思威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省广州市南沙区万顷*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 金属电极 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的金属电极，用以设于外延片上，其特征在于，包括依次层叠设于所述外延片上的锗金层、第一粘结金属层、金层和第二粘结金属层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第一粘结金属层为镍层或钛层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第二粘结金属层为镍层或钛层。
4.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述锗金层的厚度为60～80nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第一粘结金属层的厚度为10～20nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述金层的厚度为70～90nm。
7.如权利要求1所述的半导体器件的金属电极，其特征在于，所述第二粘结金属层的厚度为0.005～0.01nm。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括金属电极，所述金属电极为如权利要求1至7任意一项所述的金属电极。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为晶体二极管、双极型晶体管或场效应晶体管。
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