[发明专利]一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法有效
| 申请号： | 202111677464.2 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114420554B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 吴泓明;钟佑生;黄郁璿;李少华 | 申请（专利权）人： | 郑州合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京动力号知识产权代理有限公司 11775 | 代理人： | 张盼 |
| 地址： | 451162 河南省郑州市郑州航空*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，包括以下步骤：将清洗后表面暴露的硅晶圆片置于蚀刻槽内，采用蚀刻液溢流循环的方法进行蚀刻，蚀刻液溢流循环流量为140～195L/min；蚀刻液由HF和HNO |
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| 搜索关键词： | 一种 控制 硅晶圆片 形貌 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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