[发明专利]一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法

权利要求书

1.一种控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

将清洗后表面暴露的硅晶圆片置于蚀刻槽内，采用蚀刻液溢流循环的方法在20~46℃条件下进行蚀刻，蚀刻时间为135~185s，所述蚀刻液溢流循环流量为140~195L/min；所述蚀刻液由HF和HNO₃组成，其中HF和HNO₃的体积比为（25~35）：（65~75），所述蚀刻液内还均匀分布有惰性气体气泡，通过调整所述惰性气体气泡参数，可获得特定几何形貌的硅晶圆片；所述惰性气体气泡参数包括气泡数量、惰性气体浓度或惰性气体流量；

所述蚀刻液内的惰性气体气泡，采用在蚀刻槽外向蚀刻液内持续充入惰性气体的方法形成；所述惰性气体充入流量按照式一计算得到：

其中，Rolloff为待蚀刻硅晶圆片蚀刻后拟获取的Rolloff值；

▲TTV=TTV₂-TTV₁，TTV₂为待蚀刻硅晶圆片蚀刻前的TTV值，TTV₁为1.5；

K为常系数，根据所述蚀刻液溢流循环流量、循环温度、所述蚀刻液组成进行调整；

N₂为惰性气体充入流量，单位L/min。

2.根据权利要求1所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

所述硅晶圆片采用HF/O₃清洗，使表面暴露；所述HF/O₃清洗采用清洗液循环进行清洗，所述清洗液中HF酸体积百分浓度为3~10%，臭氧含量为1~2.6ppm，循环流量20~26L/min，温度为55~60℃。

3.根据权利要求2所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

在所述HF/O₃清洗处理前，还包括将硅晶圆片预清洗的步骤，用于去除所述硅晶圆片表面的杂质；所述预清洗中添加有清洗剂，清洗温度为60~70℃，并在超声条件下进行。

4.根据权利要求1所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

所述惰性气体气泡为纳米级。

5.根据权利要求1所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

当所述蚀刻液循环流量为170L/min、循环温度为21℃、蚀刻液组成为HF与HNO₃体积比为25:75时，所述K值为50。

6.根据权利要求1所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻后还包括采用HF/O₃再次清洗的步骤。

7.根据权利要求6所述的控制硅晶圆片形貌的酸蚀刻方法，其特征在于，

所述HF/O₃清洗后还包括采用臭氧气体清洗的步骤。