[发明专利]一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 202111672739.3 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114512576A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王婷;颜贵龙 | 申请（专利权）人： | 武汉纳斯恩科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L25/075 |
| 代理公司： | 武汉仁合利泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 42275 | 代理人： | 郑飞 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20‑25％、Dy 20‑25％、MdSiO3:Mn 20‑25％、Eu 20‑30％和还原剂5‑10％，制备方法步骤如下：S1：制备长余辉材料；S2：焊接LED灯条；S3：制作LED灯条基座；S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。本发明采用CaAl2O4:Eu、Dy、MdSiO3:Mn作为长余辉材料的原料，所制得的长余辉材料具备发出植物所需的红光和蓝光，更加利于植物生长，并且长余辉材料将LED灯条进行包裹，具备更加全面的光线吸收和余辉发光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 植物 余辉 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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