[发明专利]一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：

S1：制备长余辉材料；

S2：焊接LED灯条；

S3：制作LED灯条基座；

S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；

S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。

2.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：

所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20-25％、Dy 20-25％、MdSiO3:Mn20-25％、Eu20-30％和还原剂5-10％，将原料置于高温环境中，在高温下进行固相还原反应，制得长余辉材料；

反应环境温度为900-1450℃，加热时间为2-5h，并保持长余辉材料温度为80-110℃，使得长余辉材料维持胶质状态，便于后续注模成型。

3.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S2中：

将LED芯片的正负极进行区分，并等距排布于排线表面，通过电烙铁将LED芯片的正负极与排线表面的正负极进行焊接，构成一条完整的LED灯条。

4.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S3中：

将呈胶质态的长余辉材料倾倒至模具中，模具底部设置有凸起，凸起的宽度与LED灯条宽度对应；

倾倒完成后，等待2-3h，基座自然冷却固化，制得基座。

5.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S4中：

将LED灯条置于基座内部，将基座连同LED灯条置于模具中，在基座与LED灯条表面倾倒胶质状态的长余辉材料；

将模具置于-2个标准大气压的负压环境中，进行气泡抽离，负压除气泡时间为30min，并静置2h等待长余辉材料固化，得到封存于长余辉材料内部的LED灯条。

6.根据权利要求1所述的一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，其特征在于：基于长余辉型LED芯片制备方法的S5中：

对固化后的长余辉材料表面进行打磨，使得LED灯条发光面的长余辉擦料打磨成圆弧形，并对长余辉材料表面进行抛光。