[发明专利]一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法

说明书

本发明公开了一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20‑25％、Dy 20‑25％、MdSiO3:Mn 20‑25％、Eu 20‑30％和还原剂5‑10％，制备方法步骤如下：S1：制备长余辉材料；S2：焊接LED灯条；S3：制作LED灯条基座；S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。本发明采用CaAl2O4:Eu、Dy、MdSiO3:Mn作为长余辉材料的原料，所制得的长余辉材料具备发出植物所需的红光和蓝光，更加利于植物生长，并且长余辉材料将LED灯条进行包裹，具备更加全面的光线吸收和余辉发光效果。

技术领域

本发明涉及植物补光灯技术领域，具体为一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法。

背景技术

在植物种植过程中，由于白天的光线时间有限，并且部分植物的采光位置不够好，无法接受正常光照，因此人们会采用植物补光灯对植物进行补光，同时植物补光灯还能够在夜间进行使用，延长植物的光照时间，从而加快植物的生产速度。

经过海量检索，发现现有技术公开号为：CN112366254A，公开了一种LED芯片制备方法及其LED芯片，其中，制备方法包括：在P型外延层的上表面生长过渡层，所述P型外延层的上表面包括第一区域和第二区域，其中，所述第二区域用于生长电流阻挡层；清除所述第二区域的过渡层。本发明提供的LED芯片制备方法，通过在P型外延层的非电流阻挡层区域采用过渡层作为保护层的特殊工艺，改善了芯片因P型欧姆接触恶化造成的电压高和报废问题，有效提高芯片良率。本发明提供的LED芯片具有电学性能好、芯片良率高的优点。

综上所述，由于LED灯具备热量低、成本低、使用寿命长和具备可发出植物所需的颜色灯光的优点，广泛应用于植物补光灯的光源，现有的长余辉型LED灯在对植物进行补光过程中，由于长余辉材料吸收光线后，再度发生光线的种类复杂，无法发出植物生长所需的红蓝光和红蓝光必比例较低，使得传统的长余辉材料发出光线对促进植物生长的作用较小，达不到使用的预期标准。

发明内容

本发明的目的在于提供一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种植物用长余辉型LED芯片的制备方法，所述长余辉型LED芯片由长余辉材料和LED灯条构成，所述LED灯条为LED芯片并联焊接而成，制备方法步骤如下：

S1：制备长余辉材料；

S2：焊接LED灯条；

S3：制作LED灯条基座；

S4：安装LED灯条，并将长余辉材料对LED灯条表面进行覆盖；

S5：对长余辉材料表面进行打磨和抛光。

优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S1中：

所述长余辉材料的原料为CaAl2O4:Eu 20-25％、Dy 20-25％、MdSiO3:Mn20-25％、Eu 20-30％和还原剂5-10％，将原料置于高温环境中，在高温下进行固相还原反应，制得长余辉材料；

反应环境温度为900-1450℃，加热时间为2-5h，并保持长余辉材料温度为80-110℃，使得长余辉材料维持胶质状态，便于后续注模成型。

优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S2中：

将LED芯片的正负极进行区分，并等距排布于排线表面，通过电烙铁将LED芯片的正负极与排线表面的正负极进行焊接，构成一条完整的LED灯条。

优选的，基于长余辉型LED芯片制备方法的S3中：