[发明专利]磁控溅镀真空室及其控制方法在审
| 申请号： | 202111658487.9 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114438470A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈立;薛闯;李俊杰;李新栓;寇立;黄乐;孙桂红;潘继峰 | 申请（专利权）人： | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C14/35 |
| 代理公司： | 湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙) 43262 | 代理人： | 周琼 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。本发明提供的磁控溅镀真空室及其控制方法确保整个系统内均处于真空，以保证磁控溅射时的真空程度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅镀 真空 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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