[发明专利]磁控溅镀真空室及其控制方法

权利要求书

1.一种磁控溅镀真空室，其特征在于，所述磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。

2.根据权利要求1所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述抽真空组件包括第一泵组、第二泵组、第一阀门、维持阀、第二阀门以及分子泵组，所述第一泵组通过所述第一阀门和所述真空腔连通，所述分子泵组的一端通过所述维持阀与所述第二泵组连通，所述第一泵组和所述分子泵组通过第二阀门连通，所述第一泵组和所述第二泵组用于对所述分子泵组的前部管道抽气。

3.根据权利要求2所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述第一泵组包括第一旋片泵以及罗茨泵，所述罗茨泵位于所述第一旋片泵和所述第一阀门之间。

4.根据权利要求3所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述第二泵组为第二旋片泵。

5.根据权利要求4所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述罗茨泵和所述第一阀门之间设有第一管道真空检测器，所述维持阀和所述分子泵组之间设有第二管道真空检测器。

6.根据权利要5求所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述分子泵组包括第一子分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵、第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第一端均连接在所述第二阀门和所述维持阀之间，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第二端分别和所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门连通，所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门的另一端均与所述真空腔连通。

7.根据权利要求6所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述真空腔内设置有低温捕集器以通过所述低温捕集器将基片表面上残余的水气分子凝结。

8.一种磁控溅镀真空室的控制方法，其特征在于，所述磁控溅镀真空室的控制方法基于如权利要求1-7任一项所述的磁控溅镀真空室，所述磁控溅镀真空室的控制方法包括：

关闭分子泵组、第一阀门以及维持阀，打开第二阀门，通过第一旋片泵和第二旋片泵对分子泵组的前级管道抽气；

检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵；

检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第二预设条件时启动分子泵组并打开第二阀门关闭维持阀，通过分子泵组对真空腔抽真空。

9.根据权利要求8所述的磁控溅镀真空室的控制方法，其特征在于，所述检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵的步骤具体为：检测分子泵组前级管道的真空度，在真空度到达5000Pa时，启动第一泵组的罗茨泵。

10.根据权利要求所述的磁控溅镀真空室的控制方法，其特征在于，所述检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第二预设条件时启动分子泵组的步骤具体为：检测分子泵组前级管道的真空度，在真空度为0-50Pa时，启动分子泵组。