[发明专利]磁控溅镀真空室及其控制方法

说明书

本发明公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。本发明提供的磁控溅镀真空室及其控制方法确保整个系统内均处于真空，以保证磁控溅射时的真空程度。

技术领域

本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种磁控溅镀真空室及其控制方法。

背景技术

真空镀膜是在高真空环境下加热金属或金属材料，其氧化物变成气态原子或分子，沉积在金属或非金属表面而形成薄膜的一种方法，具有低能耗、无毒、无废液、污染小等优点。真空镀膜机主要由镀膜室、真空系统、电气控制及机架等部分组成，其中真空系统是用来真空抽气从而获得真空的重要部件，而现有的真空镀膜过程中，往往只是采取直接抽气的方式进行真空处理，而在部分管道中容易积存有部分空气未被抽取而导致真空度不够的现象发生。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种磁控溅镀真空室及其控制方法，旨在解决上述技术问题。

为实现上述目的，本发明提出的一种磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。

在一实施例中，所述抽真空组件包括第一泵组、第二泵组、第一阀门、维持阀、第二阀门以及分子泵组，所述第一泵组通过所述第一阀门和所述真空腔连通，所述分子泵组的一端通过所述维持阀与所述第二泵组连通，所述第一泵组和所述分子泵组通过第二阀门连通，所述第一泵组和所述第二泵组用于对所述分子泵组的前部管道抽气。

在一实施例中，所述第一泵组包括第一旋片泵以及罗茨泵，所述罗茨泵位于所述第一旋片泵和所述第一阀门之间。

在一实施例中，所述第二泵组为第二旋片泵。

在一实施例中，所述罗茨泵和所述第一阀门之间设有第一管道真空检测器，所述维持阀和所述分子泵组之间设有第二管道真空检测器。

在一实施例中，所述分子泵组包括第一子分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵、第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第一端均连接在所述第二阀门和所述维持阀之间，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第二端分别和所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门连通，所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门的另一端均与所述真空腔连通。

在一实施例中，所述真空腔内设置有低温捕集器以通过所述低温捕集器将基片表面上残余的水气分子凝结。

另外，本发明还提供一种磁控溅镀真空室的控制方法，所述磁控溅镀真空室的控制方法基于如上所述的磁控溅镀真空室，所述磁控溅镀真空室的控制方法包括：

关闭分子泵组、第一阀门以及维持阀，打开第二阀门，通过第一旋片泵和第二旋片泵对分子泵组的前级管道抽气；

检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵；

检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第二预设条件时启动分子泵组并打开第二阀门关闭维持阀，通过分子泵组对真空腔抽真空。

在一实施例中，所述检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵的步骤具体为：检测分子泵组前级管道的真空度，在真空度到达5000Pa时，启动第一泵组的罗茨泵。