[发明专利]切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法在审
| 申请号： | 202111655885.5 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114300443A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王梦婷;徐陈林;张鹏真;彭熙锦;胡帅 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法。所述切割道结构包括：衬底，所述衬底上包括对准标记区域和位于所述对准标记区域外部的辅助标记区域；对准标记，位于所述衬底上的所述对准标记区域内，所述对准标记用于晶圆对准；辅助标记，位于所述衬底上的辅助标记区域内，所述辅助标记与所述对准标记同层设置，所述辅助标记的结构与所述对准标记的结构不同。本发明提高了所述切割道结构在化学机械研磨工艺之后的表面平坦度，从而降低了后续在键合过程中键合界面出现缺陷的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 结构 及其 形成 方法 半导体 | ||
【主权项】：
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