[发明专利]切割道结构及其形成方法、半导体晶圆及其形成方法

权利要求书

1.一种切割道结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上包括对准标记区域和位于所述对准标记区域外部的辅助标记区域；

对准标记，位于所述衬底上的所述对准标记区域内，所述对准标记用于晶圆对准；

辅助标记，位于所述衬底上的辅助标记区域内，所述辅助标记与所述对准标记同层设置，所述辅助标记的结构与所述对准标记的结构不同。

2.根据权利要求1所述的切割道结构，其特征在于，还包括：

介质层，位于所述衬底表面，所述对准标记与所述辅助标记均位于所述介质层中。

3.根据权利要求2所述的切割道结构，其特征在于，所述对准标记的顶面与所述辅助标记的顶面均暴露于所述介质层背离所述衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的切割道结构，其特征在于，所述对准标记与所述辅助标记在形状、尺寸、内部图案密度中的一项或者两项以上存在差异。

5.根据权利要求4所述的切割道结构，其特征在于，所述辅助标记区域的宽度和长度均小于所述对准标记区域的宽度和长度，且所述辅助标记区域与所述对准标记区域之间具有一间隙。

6.根据权利要求4所述的切割道结构，其特征在于，多个对准图案组合成所述对准标记；

多个辅助图案组合成所述辅助标记，所述对准图案与所述辅助图案在形状、图案尺寸、材料中的任一项或者两项以上存在差异。

7.根据权利要求6所述的切割道结构，其特征在于，所述对准图案的尺寸大于所述辅助图案的尺寸。

8.根据权利要求6所述的切割道结构，其特征在于，组合成所述对准标记的多个所述对准图案的排布密度与组合成所述辅助标记的多个所述辅助图案的排布密度不同。

9.根据权利要求8所述的切割道结构，其特征在于，组合成所述对准标记的多个所述对准图案的排布密度小于组合成所述辅助标记的多个所述辅助图案的排布密度。

10.根据权利要求8所述的切割道结构，其特征在于，组合成所述对准标记的多个所述对准图案沿第一方向平行排布；

组合成所述辅助标记的多个所述辅助图案沿所述第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向与所述第二方向相交。

11.根据权利要求1所述的切割道结构，其特征在于，所述辅助标记区域位于所述对准标记区域的一侧；或者，

所述辅助标记区域包括多个子辅助标记区域，且多个所述子辅助标记区域环绕所述对准标记的外围分布。

12.一种切割道结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，并于所述衬底上定义对准标记区域和位于所述对准标记区域外部的辅助标记区域；

于所述衬底上的所述对准标记区域内形成对准标记、并于所述衬底上的辅助标记区域内形成辅助标记，所述对准标记用于晶圆对准，所述辅助标记与所述对准标记同层设置，且所述辅助标记的结构与所述对准标记的结构不同。

13.根据权利要求12所述的切割道结构的形成方法，其特征在于，所述对准标记与所述辅助标记在形状、尺寸、内部图案密度中的一项或者两项以上存在差异。

14.根据权利要求12所述的切割道结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底上的所述对准标记区域内形成对准标记、并于所述衬底上的辅助标记区域内形成辅助标记的具体步骤包括：

形成覆盖于所述衬底上的介质层；

于所述介质层中的所述对准标记区域内形成所述对准标记、并于所述介质层中的所述辅助标记区域内形成所述辅助标记。