[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 202111649732.X | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114068755A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 丁静;刘芳 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法。本申请旨在解决相关技术中的雪崩光电二极管的灵敏度低的问题。本申请的雪崩光电二极管包括基底，基底内的感测区设置有第一PN结和第二PN结，第一PN结对应的P型半导体和第二PN结对应的P型半导体电连接，第一PN结对应的N型半导体和第二PN结对应的N型半导体电连接。通过上述设置，使雪崩光电二极管具有两个PN结耗尽区，增加了PN结耗尽区的厚度，进而提高了PN结耗尽区对入射光的吸收效率，提高了雪崩光电二极管对光线的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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