[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：基底，所述基底内的感测区相对设置有第一PN结和第二PN结，所述第一PN结对应的P型半导体和所述第二PN结对应的P型半导体电连接，所述第一PN结对应的N型半导体和所述第二PN结对应的N型半导体电连接。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述感测区内设置有第一N型半导体、第一P型半导体、第二N型半导体及第二P型半导体，所述第一N型半导体和所述第一P型半导体之间形成所述第一PN结，所述第二N型半导体和所述第二P型半导体之间形成所述第二PN结。

3.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一N型半导体、所述第一P型半导体、所述第二P型半导体及所述第二N型半导体沿垂直于所述基底所在平面的方向依次布置。

4.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述第一N型半导体在所述基底所在的平面内的投影与所述第二N型半导体在所述基底所在的平面内的投影完全重合，所述第一P型半导体在所述基底所在的平面内的投影与所述第二P型半导体在所述基底所在的平面内的投影完全重合。

5.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述基底为P型基底，所述P型基底内设置有N型连接区，所述N型连接区与所述第一N型半导体和所述第二N型半导体连接。

6.根据权利要求5所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述N型连接区在所述感测区外围围设成侧壁具有开口的环状，所述感测区内的所述P型基底通过所述开口处的所述P型基底与所述感测区外的所述P型基底电连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述基底具有相对设置的入射侧面和反射侧面，所述感测区对应的所述入射侧面上覆盖有防反射层。

8.根据权利要求1-6任一项所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述基底具有相对设置的入射侧面和反射侧面，所述感测区对应的所述反射侧面上设置有反射层。

9.根据权利要求8所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述反射层包括金属层，所述金属层覆盖在所述感测区对应的所述反射侧面上。

10.根据权利要求9所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述反射层还包括多晶栅层，所述多晶栅层包括多晶硅和金属，所述多晶栅层位于所述感测区对应的所述反射侧面与所述金属层之间。

11.一种雪崩光电二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板的一侧形成第一基层，所述第一基层内形成有第一PN结；在所述基板的另一侧形成第二基层，所述第二基层内形成有第二PN结；所述第一PN结和所述第二PN结均位于沿垂直所述基板方向延伸的感测区内；

电连接所述第一PN结对应的P型半导体和所述第二PN结对应的P型半导体，电连接所述第一PN结对应的N型半导体和所述第二PN结对应的N型半导体。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板的一侧形成第一基层，所述第一基层内具有第一PN结；在所述基板的另一侧形成第二基层，所述第二基层内具有第二PN结，包括：

在所述第一基层中沿远离所述基板的方向依次形成第一P型半导体和第一N型半导体，所述第一P型半导体和所述第一N型半导体形成所述第一PN结；

在所述第二基层中沿远离所述基板的方向依次形成第二P型半导体和第二N型半导体，所述第二P型半导体和所述第二N型半导体形成所述第二PN结。